ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > BF862,215
Datasheet下载- 型号： BF862,215
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF862,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF862,215价格参考。NXP SemiconductorsBF862,215封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 JFET TO-236AB（SOT23）。您可以下载BF862,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF862,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | JFET N-CHAN 20V SOT-23射频JFET晶体管 JFET N-CH 20V 10MA |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 mA |
| Id-连续漏极电流 | 40 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,NXP Semiconductors BF862,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF862,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 300 mW |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 20 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-1968-1 |
| 功率-输出 | - |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | JFET |
| 最大漏极/栅极电压 | 20 V |
| 标准包装 | 1 |
| 漏极连续电流 | 40 mA |
| 漏源电压VDS | 20 V |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | 20V |
| 电流-测试 | - |
| 类型 | Silicon |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 20 V |
| 零件号别名 | BF862 T/R |
| 频率 | - |
| 额定电流 | 25mA |
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