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  • 型号: BAS21AW,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BAS21AW,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BAS21AW,115价格参考。NXP SemiconductorsBAS21AW,115封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 250V 225mA (DC) Surface Mount SC-70, SOT-323。您可以下载BAS21AW,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BAS21AW,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ARRAY 250V 225MA SOT323二极管 - 通用,功率,开关 DIODE SW 200V 200MA HS UMT3

产品分类

二极管,整流器 - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,二极管 - 通用,功率,开关,NXP Semiconductors BAS21AW,115-

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产品型号

BAS21AW,115

不同If时的电压-正向(Vf)

1.25V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

100nA @ 200V

二极管类型

标准

二极管配置

1 对共阳极

产品

Switching Diodes

产品种类

二极管 - 通用,功率,开关

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

568-11083-1

包装

剪切带 (CT)

反向恢复时间(trr)

50ns

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SC-70

峰值反向电压

250 V

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

工厂包装数量

3000

恢复时间

50 ns

最大二极管电容

2 pF

最大功率耗散

200 mW

最大反向漏泄电流

100 nA

最大工作温度

+ 150 C

最大浪涌电流

625 mA

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向电压下降

1.25 V

正向连续电流

125 mA

热阻

*

电压-DC反向(Vr)(最大值)

250V

电流-平均整流(Io)(每二极管)

225mA(DC)

速度

快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

配置

Dual Common Anode

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