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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2DB1714-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2DB1714-13价格参考。Diodes Inc.2DB1714-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2DB1714-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2DB1714-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的型号为2DB1714-13的晶体管属于双极型晶体管(BJT),主要用于需要高频和低噪声放大的应用场景。该器件适用于射频(RF)和中间频率(IF)放大器电路,常见于通信设备、无线基站、广播接收器和测试测量仪器中。此外,它也可用于模拟信号处理和低噪声前置放大器设计,适合对信号保真度要求较高的电子系统。由于其良好的高频特性和稳定性,2DB1714-13在射频模块和工业控制领域也有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS BIPO PNP 30V 2A SOT89-3两极晶体管 - BJT LO VSAT PNP SMT 2.5K |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated 2DB1714-13- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2DB1714-13 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 370mV @ 75mA,1.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 270 @ 200mA,2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-89-3 |
| 其它名称 | 2DB1714DICT |
| 其它图纸 |
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| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 封装/箱体 | SOT-89 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 270 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 270 at 200 mA at 2 V |
| 系列 | 2DB1714 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 频率-跃迁 | 200MHz |