ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BSP170PH6327XTSA1
Datasheet下载- 型号： BSP170PH6327XTSA1
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP170PH6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP170PH6327XTSA1价格参考￥询价-￥询价。InfineonBSP170PH6327XTSA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4。您可以下载BSP170PH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSP170PH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BSP170PH6327XTSA1 是一款N沟道MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于中小功率开关和信号控制场合。该器件具有低导通电阻、快速开关响应和高可靠性等特点，适合在便携式电子设备和工业控制领域中使用。 典型应用场景包括：电源管理电路中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池供电管理；LED驱动电路中作为开关元件，实现高效亮度调节；在DC-DC转换器中用于同步整流或低端开关，提高转换效率；还可用于电机驱动、继电器驱动等小功率驱动电路中，实现对负载的精确控制。 此外，BSP170PH6327XTSA1采用小型化封装（如PG-SOT23-3），节省PCB空间，适用于高密度布局的消费类电子产品。其良好的热稳定性和抗干扰能力也使其适用于汽车电子中的辅助系统，如车灯控制、传感器供电开关等非主驱应用。 综上，该MOSFET适用于需要高效、紧凑和可靠开关性能的各类低电压、中低电流应用场景，尤其适合消费电子、工业控制和部分车载电子系统。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 1.9 A |
| Id-连续漏极电流 | - 1.9 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal 300mOhms -60V -430mA |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP170PH6327XTSA1 |
| 产品型号 | BSP170PH6327XTSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| Qg-GateCharge | - 10 nC |
| Qg-栅极电荷 | - 10 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 239 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 239 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 3 V |
| 上升时间 | 28 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 92 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 1.3 S |
| 系列 | BSP170 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP001058608 |
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