Datasheet下载- 型号： 2SB1184TLR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1184TLR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1184TLR价格参考￥0.61-￥1.14。ROHM Semiconductor2SB1184TLR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SB1184TLR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SB1184TLR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的晶体管2SB1184TLR是一款PNP型双极结型晶体管（BJT），常用于中功率放大和开关应用。该器件具有良好的稳定性和可靠性，适用于多种电子电路设计。 主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、稳压器等，作为开关元件控制电流流动。 2. 电机驱动电路：在小型电机或继电器驱动中作为功率开关使用。 3. 音频放大器：用于低频功率放大电路，驱动扬声器或音频模块。 4. 工业控制设备：如PLC、传感器接口电路中，用于信号放大或开关控制。 5. 消费类电子产品：如电视、音响设备、电源适配器等中作为功率开关或放大元件。 该晶体管采用SOT-89封装，具有较好的散热性能，适合表面贴装，广泛应用于中功率电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 50V 3A SOT-428两极晶体管 - BJT PNP 50V 3A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor 2SB1184TLR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SB1184TLR |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 180 @ 500mA，3V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | CPT3 |
| 其它名称 | 2SB1184TLRDKR |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 70 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA （ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 180 at 0.5 A at 3 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 180 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
| 集电极连续电流 | - 3 A |
| 频率-跃迁 | 70MHz |
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