Datasheet下载- 型号： NSV1C200LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSV1C200LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSV1C200LT1G价格参考。ON SemiconductorNSV1C200LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSV1C200LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSV1C200LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSV1C200LT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件主要应用于需要高频率和高可靠性的工作场景。 该晶体管常用于以下应用场景： 1. 高频放大电路：NSV1C200LT1G具有良好的高频特性，适用于射频（RF）信号放大、无线通信模块中的前置放大器等高频应用。 2. 开关电路：由于其快速开关特性和较高的电流增益，适合用于数字电路中的开关控制，如逻辑电路驱动、继电器控制等。 3. 低噪声前置放大：该器件具有较低的噪声系数，适用于音频、传感器信号等微弱信号的前置放大电路。 4. 汽车电子系统：作为安森美半导体的产品，该型号符合汽车级可靠性标准，常用于车载电子系统中，如车身控制模块、传感器接口电路等。 5. 工业自动化控制：在工业控制系统中用于信号处理、执行器驱动、电源管理等功能模块。 该晶体管采用SOT-23封装，体积小、便于集成，适合在空间受限的便携设备和高密度电路板中使用。其工作温度范围宽，适用于对稳定性要求较高的工业和汽车环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP 100V 3A SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSV1C200LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，2V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 490mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 100V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 频率-跃迁 | 120MHz |
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