【未分类_2SB1121T-TD-E】封装/厂家_2SB1121T-TD-E中文资料_价格

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型号： 2SB1121T-TD-E
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供2SB1121T-TD-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SB1121T-TD-E价格参考。ON Semiconductor2SB1121T-TD-E封装/规格：未分类，暂无。您可以下载2SB1121T-TD-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SB1121T-TD-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor（安森美半导体）生产的2SB1121T-TD-E是一款双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。该型号的应用场景主要集中在需要高频率、高增益和低噪声的电路设计中，以下是其典型应用场景：

1. 射频（RF）放大器：  
   2SB1121T-TD-E具有高增益和良好的频率特性，适用于射频信号放大。它可以在通信设备、无线模块和其他高频电子系统中用作小信号放大器。

2. 混频器和调制器：  
   在无线电通信系统中，该晶体管可以用于混频器或调制器电路，帮助实现信号的频率转换或调制功能。

3. 低噪声放大（LNA）：  
   由于其低噪声性能，该晶体管适合用于接收机前端的低噪声放大器，以提高信号质量并减少失真。

4. 音频前置放大器：  
   在音频设备中，2SB1121T-TD-E可以用作前置放大器，为后续功率放大器提供足够的信号增益，同时保持低失真。

5. 振荡器电路：  
   该晶体管可用于构建振荡器，例如LC振荡器或晶体振荡器，广泛应用于时钟生成、信号发生器等领域。

6. 开关电路：  
   虽然主要是为线性应用设计的，但在某些情况下，该晶体管也可以用作开关元件，例如在脉冲调制或数字电路中。

7. 测试与测量设备：  
   在精密仪器中，这款晶体管可用于信号调理电路，确保高精度和稳定性。

总之，2SB1121T-TD-E凭借其优异的电气特性和可靠性，特别适合需要高性能的小信号处理和高频应用场合。在选择具体应用场景时，需根据实际电路需求匹配其工作参数，如电压、电流和频率范围等。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS PNP BIPO 2A 25V SOT89-3两极晶体管 - BJT BIP PNP 2A 25V
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2SB1121T-TD-E-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	2SB1121T-TD-E
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	600mV @ 75mA，1.5A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	100 @ 100mA，2V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	PCP
功率-最大值	500mW
包装	带卷（TR）
发射极-基极电压VEBO	- 6 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	150 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-243AA
工厂包装数量	1000
晶体管极性	PNP
晶体管类型	PNP
最大功率耗散	1.3 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	- 5 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1,000
电压-集射极击穿（最大值）	25V
电流-集电极(Ic)（最大值）	2A
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	560
系列	2SB1121
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	- 25 V
集电极—基极电压VCBO	- 30 V
集电极—射极饱和电压	- 0.35 V
集电极连续电流	- 2 A
频率-跃迁	150MHz