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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供2N5686G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2N5686G价格参考。ON Semiconductor2N5686G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载2N5686G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有2N5686G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2N5686G是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于NPN型高频晶体管。它常用于需要高频率和中等功率处理能力的电路中。 该晶体管的主要应用场景包括: 1. 射频(RF)放大器:2N5686G具有良好的高频特性,适用于射频信号的放大,广泛用于通信设备、无线发射模块等。 2. 功率放大器:在一些中功率放大电路中,如音频功率放大或射频功率放大,2N5686G能够提供稳定的输出功率。 3. 开关电路:由于其良好的开关特性,也可用于高速开关应用,如脉冲电路、电源控制等。 4. 振荡器与变频器:在需要产生或转换频率的电路中,如振荡电路、混频电路中也有应用。 5. 工业控制与汽车电子:因其可靠性较高,也适用于工业控制设备和部分汽车电子系统中的信号处理和功率控制。 总之,2N5686G是一款适用于高频、中功率场景的通用型晶体管,广泛用于通信、电子控制和功率放大等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN PWR GP 50A 80V TO3两极晶体管 - BJT 50A 80V 300W NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor 2N5686G- |
数据手册 | |
产品型号 | 2N5686G |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 5V @ 10A,50A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 15 @ 25A,2V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-3 |
其它名称 | 2N5686GOS |
功率-最大值 | 300W |
包装 | 托盘 |
发射极-基极电压VEBO | 5 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 2 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tray |
封装/外壳 | TO-204AE |
封装/箱体 | TO-204-2 (TO-3) |
工厂包装数量 | 100 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 300 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 50 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 100 |
电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 50A |
电流-集电极截止(最大值) | 1mA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 15 |
系列 | 2N5686 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
集电极—基极电压VCBO | 80 V |
集电极—射极饱和电压 | 1 V |
集电极连续电流 | 50 A |
频率-跃迁 | 2MHz |