ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PSMN7R0-60YS,115
Datasheet下载- 型号： PSMN7R0-60YS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN7R0-60YS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN7R0-60YS,115价格参考￥2.95-￥6.30。NXP SemiconductorsPSMN7R0-60YS,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 89A（Tc） 117W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN7R0-60YS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN7R0-60YS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN7R0-60YS,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于 FET 类别。该型号的 MOSFET 具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于多种电力电子应用场合。 主要应用场景： 1. 电源管理： - 开关电源 (SMPS)：PSMN7R0-60YS,115 适用于各种开关电源设计，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高转换效率。 - 电池管理系统 (BMS)：用于电池充放电控制、保护电路等，确保电池在安全范围内工作。 2. 电机驱动： - 直流电机驱动：MOSFET 可以作为电机的开关元件，控制电机的启动、停止和速度调节。 - 无刷直流电机 (BLDC)：用于逆变器电路中，将直流电转换为三相交流电，驱动 BLDC 电机。 3. 负载开关： - 智能设备中的负载切换：例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中，MOSFET 用作负载开关，实现快速的电源切换和节能管理。 - 工业自动化设备：用于控制传感器、执行器等负载的供电，确保系统的稳定性和安全性。 4. 汽车电子： - 车身控制系统：如车窗升降、座椅调节、雨刷控制等，MOSFET 作为开关元件，提供可靠的电气控制。 - 电动车辆 (EV) 和混合动力车辆 (HEV)：用于电池管理系统、逆变器和其他关键电力系统中，确保高效的能量转换和管理。 5. 消费电子： - 家用电器：如空调、冰箱、洗衣机等，MOSFET 用于控制压缩机、风扇等部件的工作状态，提升能效比。 - 音频设备：用于功率放大器中的开关元件，确保音质的同时降低功耗。 6. 通信设备： - 基站和路由器：用于电源管理和信号处理电路中，确保设备的稳定运行和高效能表现。 总之，PSMN7R0-60YS,115 的低导通电阻和高电流处理能力使其成为多种电力电子应用的理想选择，特别是在需要高效能和可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V LFPAKMOSFET Single N-Channel 60V 356A 117W 9.3mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 63 A |
| Id-连续漏极电流 | 63 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN7R0-60YS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN7R0-60YS,115 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 117 W |
| Pd-功率耗散 | 117 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 54 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 54 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.7 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2712pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.4 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-5596-1 |
| 功率-最大值 | 117W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 9.3 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 54 V |
| 漏极连续电流 | 63 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 89A （Tc） |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
