ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 > IKW50N65H5FKSA1
Datasheet下载- 型号： IKW50N65H5FKSA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IKW50N65H5FKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IKW50N65H5FKSA1价格参考￥13.73-￥13.73。InfineonIKW50N65H5FKSA1封装/规格：晶体管 - UGBT，MOSFET - 单， IGBT 650V 80A 305W Through Hole PG-TO247-3。您可以下载IKW50N65H5FKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IKW50N65H5FKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 21ns/180ns |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 150A |
| 描述 | IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 120nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,Infineon Technologies IKW50N65H5FKSA1TrenchStop® |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/DS_IKW50N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433afc7e3e013b1e3073ec5951 |
| 产品型号 | IKW50N65H5FKSA1 |
| SwitchingEnergy | 520µJ （开）， 180µJ （关） |
| TestCondition | 400V， 25A， 12 欧姆， 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.1V @ 15V，50A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30443 |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | PG-TO247-3 |
| 其它名称 | SP001001734 |
| 功率-最大值 | 305W |
| 功率耗散 | 305 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 57ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 在25C的连续集电极电流 | 80 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 240 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
| 标准包装 | 240 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 650V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 80A |
| 系列 | IKW50N65 |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.65 V |
| 集电极最大连续电流Ic | 56 A |
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