Datasheet下载- 型号： QS6J11TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供QS6J11TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 QS6J11TR价格参考。ROHM SemiconductorQS6J11TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载QS6J11TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有QS6J11TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的QS6J11TR是一款P沟道MOSFET阵列器件，内置两个相同的P沟道MOSFET，采用小型化封装（如SOP-J8），适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、低阈值电压和良好的开关特性，适合电池供电系统中的电源管理与信号切换应用。 典型应用场景包括： 1. 电池供电设备：广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携产品中，作为负载开关或电源路径控制，实现高效能与低功耗运行。 2. 电源管理电路：在DC-DC转换器或LDO后级电路中用于上电时序控制或电源多路复用，防止反向电流和浪涌电流。 3. 信号切换与逻辑控制：可用于I²C、USB等总线的电平转换或热插拔控制，保护主控芯片免受异常电压影响。 4. 电机驱动与继电器替代：在小功率电机或电磁阀驱动电路中作为电子开关，替代机械继电器，提升可靠性并减小体积。 5. 过流保护与热插拔电路：配合控制器实现安全的热插拔功能，常用于工业控制模块或通信接口中。 QS6J11TR凭借其高集成度、可靠性和小尺寸，特别适合对空间和能效要求较高的消费类电子和工业应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6MOSFET TRANS MOSFET PCH 12V 2A 6PIN |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor QS6J11TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | QS6J11TR |
| Pd-PowerDissipation | 0.6 W |
| Pd-功率耗散 | 600 mW |
| Qg-GateCharge | 6.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 6.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 770pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 105 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 其它名称 | QS6J11TRDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 65 ns |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSMT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向跨导-最小值 | 2 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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