Datasheet下载- 型号： SI5513DC-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5513DC-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5513DC-T1-E3价格参考。VishaySI5513DC-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5513DC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5513DC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5513DC-T1-E3 是一款包含两个N沟道MOSFET的场效应晶体管（FET）阵列，常用于高效、小尺寸的电源管理和开关控制应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，尤其适合笔记本电脑、平板电脑和移动设备中的高效电源设计。 2. 电机控制：可用于小型电机或步进电机的驱动电路，实现快速开关和低功耗控制。 3. 电池供电设备：由于其低导通电阻和小封装，适合用于智能手机、穿戴设备等对功耗和空间敏感的产品。 4. 负载开关与电源分配：在多路电源系统中作为电子开关，控制不同模块的供电通断。 5. 工业自动化与传感器模块：用于控制继电器、LED灯组或传感器供电，实现高效能和可靠性。 该器件采用小型DFN封装，适合高密度PCB布局，具备良好的热性能和高频开关能力，广泛应用于便携式电子产品和高效能电源系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8MOSFET 20V 4.2/2.9A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.2 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71186 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI5513DC-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI5513DC-T1-E3SI5513DC-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms, 130 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms, 130 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5513DC-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns, 25 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | 1206-8 ChipFET |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.1A，2.1A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI5513DC-E3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
