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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供EM6K33T2R由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EM6K33T2R价格参考。ROHM SemiconductorEM6K33T2R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载EM6K33T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有EM6K33T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的EM6K33T2R是一款P沟道MOSFET阵列,内置两个相同的P沟道MOSFET器件,采用小型化封装(如S-Mini),适用于空间受限的便携式电子设备。该器件主要应用于需要低导通电阻、低功耗和高效率的场合。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:用于电池供电设备中的负载开关或电源切换电路,实现对不同模块的上电/断电控制,降低待机功耗。 2. 便携式电子产品:广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,用于DC-DC转换器的同步整流或反向电流阻断。 3. 信号切换与逻辑控制:在低电压数字电路中作为电平转换或信号通断控制元件。 4. 电机驱动与继电器替代:适用于小功率电机驱动或固态继电器设计,提高系统可靠性并减少电磁干扰。 5. 热插拔与过流保护电路:配合控制器实现安全的热插拔功能,防止浪涌电流损坏系统。 EM6K33T2R具有低阈值电压、快速开关响应和高可靠性,适合高频工作环境。其集成双通道设计有助于简化PCB布局、节省空间并提升整体系统效率。此外,产品符合RoHS环保标准,适用于消费类电子和工业控制等多种领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V EMT6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极,1.2V 驱动 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | EM6K33T2R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 25pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.2 欧姆 @ 200mA,4.5V |
| 供应商器件封装 | EMT6 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-6 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200mA |