Datasheet下载- 型号： SI7940DP-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7940DP-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7940DP-T1-E3价格参考。VishaySI7940DP-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7940DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7940DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7940DP-T1-E3是一款双N沟道MOSFET阵列，广泛应用于各种电子电路中，其主要应用场景包括： 1. 电源管理： 该器件适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和负载开关等应用。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效降低功耗并提高效率。 2. 电机控制： 在小型电机驱动和控制中，SI7940DP-T1-E3可用作功率级开关，支持高效启动、停止和调速功能。 3. 电池保护： 常用于锂离子电池组的过流保护和充放电控制，确保电池系统的安全性和可靠性。 4. 信号切换： 在音频设备或多路复用器中，可作为信号切换开关，实现低噪声和高保真度的信号传输。 5. 负载开关： 用于便携式设备中的负载开关，以实现快速开启/关闭和节能模式切换。 6. 热插拔保护： 在服务器或通信设备中，提供热插拔保护功能，防止因电流浪涌导致的损坏。 7. LED驱动： 在LED照明应用中，作为PWM调光开关，实现亮度调节和高效能量转换。 8. 数据通信： 在USB端口保护和切换中，确保数据传输的稳定性和安全性。 SI7940DP-T1-E3凭借其紧凑的封装（TSOP-6）和优异的电气性能，在上述场景中表现出卓越的可靠性和效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8MOSFET 12V 11.8A 0.017Ohm |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7940DP-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7940DP-T1-E3SI7940DP-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 11.8A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET/PowerPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.6A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI7940DP-E3 |
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