Datasheet下载- 型号： SI7911DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7911DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7911DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7911DN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7911DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7911DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7911DN-T1-GE3 是一款双 N 沟道 MOSFET 阵列，采用 8 引脚 SOIC 封装，具有低导通电阻和高开关效率的特点。该器件广泛应用于需要高效、紧凑型电源管理的场景。 典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和移动电源）中的负载开关或电源切换控制，用于降低功耗并提升能效；电池管理系统（BMS）中作为充放电控制开关，保护电路免受过流或反向电流影响；在DC-DC 转换器和同步整流电路中，用于提高转换效率，减少能量损耗。此外，SI7911DN-T1-GE3 也适用于电机驱动、LED 驱动电源及各类消费类电子产品中的信号切换与功率控制。 其小尺寸封装和高集成度使其特别适合空间受限的高密度PCB设计，同时良好的热性能保障了在较宽温度范围内的稳定运行。总体而言，SI7911DN-T1-GE3 是中小功率电源管理应用中的可靠选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7911DN-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 51 毫欧 @ 5.7A，4.5V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 其它名称 | SI7911DN-T1-GE3TR |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.2A |
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