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Datasheet下载- 型号： SI7940DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI7940DP-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7940DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7940DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7940DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 12V 7.6A 1.4W 表面贴装 PowerPAK® SO-8 Dual。您可以下载SI7940DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7940DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7940DP-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：SI7940DP 适用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理电路。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电池管理系统 (BMS)：在电池保护和管理中，该器件可用于电池充电/放电控制、过流保护以及电池切换等功能。 3. 电机驱动与控制：适用于小型电机驱动应用，如消费电子设备中的风扇、泵或微型电机控制，提供高效的开关性能。 4. 数据通信与网络设备：用于网络交换机、路由器等设备中的信号切换和电源管理，确保快速响应和低功耗。 5. 消费类电子产品：包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的负载开关和电源路径管理。 6. 工业自动化：在工业控制领域，可用于传感器接口、信号调理电路以及各种开关应用。 7. 汽车电子：尽管具体型号可能未通过 AEC-Q101 认证，但类似规格的产品常用于非关键车载应用，如信息娱乐系统、车窗升降器和座椅调节等。 总之，SI7940DP-T1-GE3 凭借其优异的电气特性和紧凑封装（TSOP-6），非常适合需要高效率、小尺寸解决方案的各种电子设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8MOSFET Dual P-Ch 12V 17mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7940DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7940DP-T1-GE3SI7940DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 11.8A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 Dual |
| 其它名称 | SI7940DP-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 17 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 12 V |
| 漏极连续电流 | 7.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.6A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI7940DP-GE3 |
