Datasheet下载- 型号： NTZD5110NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTZD5110NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTZD5110NT1G价格参考。ON SemiconductorNTZD5110NT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTZD5110NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTZD5110NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTZD5110NT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电子应用领域。以下是 NTZD5110NT1G 的主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：用于控制电路中负载的通断，实现高效的电源切换。 - DC-DC 转换器：在降压或升压转换器中作为同步整流器或开关元件使用，提高效率并减少功率损耗。 - 电池管理：用于电池保护电路，防止过充、过放或短路。 2. 信号切换 - 多路复用器/解复用器：在信号切换电路中，用于选择不同的输入或输出路径。 - 音频信号切换：在音频设备中，用于切换不同的输入源或扬声器通道。 3. 电机驱动 - 小型电机控制：用于驱动低功率直流电机或步进电机，提供精确的电流控制。 - H 桥电路：在双向电机控制应用中，作为 H 桥的核心开关元件。 4. 数据通信 - USB 开关：在 USB 端口保护和切换中使用，支持高速数据传输的同时提供过流保护。 - I/O 保护：用于保护敏感电路免受静电放电（ESD）或过压影响。 5. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于电源管理、音频切换和外设接口控制。 - 便携式设备：在可穿戴设备、蓝牙耳机等低功耗设备中，实现高效的电源管理和信号切换。 6. 工业控制 - 传感器接口：用于控制传感器的供电或信号切换。 - 继电器替代：在需要快速开关的应用中，代替传统机械继电器以提高可靠性和寿命。 7. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统：用于音频切换、USB 接口保护等功能。 - LED 驱动：在汽车照明系统中，用于控制 LED 的亮度和开关。 NTZD5110NT1G 的小型封装（如 SOT-23-6）使其非常适合空间受限的设计，同时其低导通电阻和高可靠性也满足了现代电子设备对效率和性能的严格要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 294 mA |
| Id-连续漏极电流 | 294 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTZD5110NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTZD5110NT1G |
| Pd-PowerDissipation | 250 mW |
| Pd-功率耗散 | 250 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1600 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 7.3 ns |
| 下降时间 | 7.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 24.5pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NTZD5110NT1G-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 63.7 ns |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1600 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 294 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 294mA |
| 系列 | NTZD5110N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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