Datasheet下载- 型号： CMRDM3575 TR
- 制造商： Central Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CMRDM3575 TR由Central Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CMRDM3575 TR价格参考。Central SemiconductorCMRDM3575 TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CMRDM3575 TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CMRDM3575 TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CMRDM3575 TR是Central Semiconductor Corp生产的一款MOSFET阵列晶体管，采用双N沟道设计，封装小型化（如SOT-23或DFN），适用于空间受限的高密度电路。该器件具有低导通电阻、快速开关特性，适合用于电源管理、负载开关、电池供电设备和便携式电子产品。 典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源控制与信号切换；也可用于DC-DC转换器、电压调节模块中实现高效能电能转换。此外，在电机驱动、LED驱动及小型继电器替代方案中，CMRDM3575 TR凭借其稳定性能和低功耗表现，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子中的辅助系统。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
| Id-连续漏极电流 | 200 mA |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET N AND P CHANNEL MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Central Semiconductor CMRDM3575 TR |
| 产品型号 | CMRDM3575 TR |
| Pd-PowerDissipation | 125 mW |
| Pd-功率耗散 | 125 mW |
| Qg-GateCharge | 0.458 nC, 0.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.458 nC, 0.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 85 ns, 100 ns |
| 商标 | Central Semiconductor |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 20 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-963-6 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 正向跨导-最小值 | 1.3 S, 0.14 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 200 mA |
| 系列 | CMRDM3575 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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