Datasheet下载- 型号： SIZ914DT-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIZ914DT-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIZ914DT-T1-GE3价格参考。VishaySIZ914DT-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIZ914DT-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIZ914DT-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIZ914DT-T1-GE3 是一款包含两个P沟道MOSFET的阵列器件，主要用于需要高效电源管理和空间受限的应用。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：适用于负载开关、电源转换和电池供电设备中的高效能控制，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机。 2. DC-DC转换器：在低电压DC-DC转换电路中作为同步整流器或开关元件，提高转换效率。 3. 电机驱动：用于小型电机或执行器的控制电路中，实现对电机方向或速度的切换。 4. 信号切换：适合在模拟或数字信号路径中作为高速开关使用，尤其在需要低导通电阻和快速响应的场合。 5. 汽车电子：在车载系统中用于灯光控制、传感器电源管理及其他低功率控制电路。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB设计，同时具备低导通电阻和良好的热性能，有助于减少功耗和发热。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SIZ914DT-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1208pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.4 毫欧 @ 19A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30392 |
| 供应商器件封装 | 8-PowerPair® |
| 其它名称 | SIZ914DT-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 22.7W， 100W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-DFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A，40A |
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