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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH6601-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH6601-TL-E价格参考。ON SemiconductorMCH6601-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCH6601-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCH6601-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MCH6601-TL-E的ON Semiconductor产品属于晶体管中的MOSFET阵列器件,主要应用于需要高效、低功耗开关控制的场合。该器件集成了多个MOSFET单元,常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动及电池供电设备中。其小型封装和低导通电阻特性使其特别适用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。此外,MCH6601-TL-E也适合用于汽车电子系统中的功率控制模块,如车用LED照明或传感器驱动电路。由于其高集成度和可靠性,该MOSFET阵列在工业自动化、通信设备和消费类电子产品中均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 30V 200MA MCPH6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MCH6601-TL-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7.5pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.43nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10.4 欧姆 @ 50mA,4V |
| 供应商器件封装 | 6-MCPH |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD,无引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200mA |