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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NDS9959由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDS9959价格参考。Fairchild SemiconductorNDS9959封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NDS9959参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDS9959 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的NDS9959是一款P沟道MOSFET阵列,采用双芯片封装,主要用于电源管理和负载开关应用。其典型应用场景包括便携式电子设备中的电池供电管理,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,用于实现电源路径控制与系统节能。由于其低导通电阻(RDS(on))和小封装尺寸,适用于空间受限且对效率要求高的设计。 NDS9959常用于直流-直流(DC-DC)转换器的同步整流、高边或低边开关电路,以及热插拔和电源多路切换电路中,提供快速响应和低功耗性能。此外,它也适合用于电机驱动、LED驱动和各类消费类电子产品中的信号切换功能。得益于ON Semiconductor在功率器件上的优化设计,该器件具备良好的热稳定性和可靠性,能在较宽温度范围内稳定工作,适用于工业控制和汽车电子中的辅助电源系统。 总之,NDS9959凭借其高集成度、低损耗和紧凑封装,广泛应用于需要高效、小型化电源管理解决方案的现代电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
数据手册 | |
产品图片 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 300 毫欧 @ 1.5A,10V |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | NDS9959DKR |
功率-最大值 | 900mW |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 50V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A |