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Datasheet下载- 型号： ATF-36077-STR
- 制造商： Avago Technologies
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-36077-STR由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-36077-STR价格参考。Avago TechnologiesATF-36077-STR封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet pHEMT FET 1.5V 10mA 12GHz 12dB 5dBm 77。您可以下载ATF-36077-STR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-36077-STR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATF-36077-STR是Broadcom Limited推出的一款高性能砷化镓（GaAs）增强型假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT），属于射频MOSFET类晶体管。该器件专为低电压、低噪声放大应用设计，广泛应用于无线通信系统中对信号灵敏度要求较高的场景。 其典型应用场景包括：无线局域网（WLAN）、5.8GHz频段的Wi-Fi 6/6E系统、点对点和点对多点微波通信、宽带固定无线接入系统、卫星通信终端以及毫米波回传网络等。由于具备极低的噪声系数（典型值0.45dB @ 5.8GHz）和良好的增益性能（约16dB），ATF-36077-STR非常适合用于接收链路中的低噪声放大器（LNA），以提升系统整体的信噪比和接收灵敏度。 此外，该器件支持直流至12GHz的宽频带工作范围，适合多频段射频前端设计。其增强型设计允许使用单一正电压供电，简化了偏置电路设计，提高了系统集成度与可靠性。常用于小型化基站、客户终端设备（CPE）、雷达传感器及测试测量仪器等高端射频设备中。 ATF-36077-STR采用SOT-343封装，体积小巧，适合高密度贴装，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业级温度范围，满足严苛环境下的长期运行需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC PHEMT 2-18GHZ ULT LN 77-SMD |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1222EN |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ATF-36077-STR |
| PCN过时产品 | http://www.avagotech.com/docs/OBS070312WSD2-RevA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 77 |
| 其它名称 | 516-1865 |
| 功率-输出 | 5dBm |
| 包装 | 带 |
| 噪声系数 | 0.5dB |
| 增益 | 12dB |
| 封装/外壳 | 4-SMD（77 封装） |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 1.5V |
| 电压-额定 | 3V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 频率 | 12GHz |
| 额定电流 | 45mA |
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