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  • 型号: FDS4501H
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDS4501H由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS4501H价格参考。Fairchild SemiconductorFDS4501H封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDS4501H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS4501H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N/P-CH 30/20V 8SOICMOSFET SO-8 COMP N-P-CH

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

9.3 A

Id-连续漏极电流

9.3 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS4501HPowerTrench®

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产品型号

FDS4501H

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

18 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

18 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V, - 20 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V, - 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V, +/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V, 8 V

上升时间

5 ns, 15 ns

下降时间

10 ns, 25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1958pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

27nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

18 毫欧 @ 9.3A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOIC N

其它名称

FDS4501HFSCT

典型关闭延迟时间

38 ns, 40 ns

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

单位重量

187 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N and P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

28 S, 16 S

漏源极电压(Vdss)

30V,20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.3A,5.6A

系列

FDS4501H

通道模式

Enhancement

配置

Half-Bridge

零件号别名

FDS4501H_NL

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