ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > IRF7319PBF
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Datasheet下载- 型号： IRF7319PBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7319PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7319PBF价格参考￥1.64-￥1.67。International RectifierIRF7319PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7319PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7319PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7319PBF是由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款晶体管，属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列类别。该型号具有双MOSFET结构，集成了一个N沟道和一个P沟道的MOSFET，适用于多种高效能开关和电源管理应用。 应用场景： 1. 电源管理： IRF7319PBF常用于DC-DC转换器中的同步整流电路。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功率损耗，提高转换效率，特别适合于笔记本电脑、平板电脑和移动设备的电源管理系统。 2. 电机驱动： 在小型电机驱动应用中，该器件可以作为H桥或半桥驱动的核心元件，用于控制电机的正转、反转和速度调节。例如，玩具电机、风扇和其他消费类电子产品的电机控制。 3. 负载开关： 由于其快速开关特性和低功耗，IRF7319PBF非常适合用作负载开关，为系统中的不同模块提供精确的电源管理，确保设备在待机模式下的功耗最小化。 4. 电池保护与管理： 在便携式设备中，该器件可用于电池保护电路，防止过充、过放或短路等问题。其双MOSFET设计可以同时实现充电和放电路径的控制。 5. 通信设备： 在基站、路由器等通信设备中，IRF7319PBF可用于信号处理和电源分配电路，提供高效的电压转换和稳定的电流输出。 6. 汽车电子： 虽然IRF7319PBF并非专为汽车级设计，但在某些非关键性车载应用中（如车窗升降、座椅调节等），它也可以作为驱动元件使用。 总结： IRF7319PBF凭借其双MOSFET集成设计、低导通电阻和高切换效率，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和便携式设备等领域。其典型应用场景包括电源管理、电机驱动、负载开关和电池保护等，能够满足对效率和可靠性的高要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N+P 30V 4.9A 8-SOICMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 58mOhms 22nC |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7319PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7319PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 22 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 58 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 58 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V, 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V, 1 V |
| 上升时间 | 8.9 ns, 13 ns |
| 下降时间 | 17 ns, 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 29 毫欧 @ 5.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns, 34 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 58 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 22 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 6.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.5A，4.9A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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