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  • 型号: FDS6986AS
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6986AS由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6986AS价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6986AS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDS6986AS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS6986AS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为FDS6986AS的ON Semiconductor产品是一款包含多个MOSFET的阵列器件,常用于需要高效功率管理与开关控制的应用中。其典型应用场景包括:

1. 电源管理系统:适用于笔记本电脑、平板及移动设备中的电池供电系统,实现高效的能量分配和管理。

2. DC-DC转换器:作为高频开关元件,用于升压(Boost)或降压(Buck)电路中,提升电源转换效率。

3. 负载开关与热插拔控制:用于服务器、通信设备中,控制电源的通断,防止浪涌电流并实现安全热插拔。

4. 马达驱动与继电器替代:在小型电机或电磁阀控制中取代机械继电器,提供更快响应速度和更高可靠性。

5. LED背光与照明驱动:适用于液晶显示器背光调节或LED照明系统的PWM调光控制。

6. 汽车电子系统:如车载娱乐系统、电动助力转向(EPS)或车身控制模块,满足对空间紧凑与高可靠性的需求。

该器件因集成度高、封装小巧、导通电阻低等特点,在便携式设备与高密度电路设计中具有显著优势。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SOICMOSFET 30V Dual SyncFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-连续漏极电流

6.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS6986ASPowerTrench®, SyncFET™

数据手册

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产品型号

FDS6986AS

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

RdsOn-漏源导通电阻

20 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 16 V, +/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

16 V, 20 V

上升时间

9 ns

下降时间

3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

720pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

29 毫欧 @ 6.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

FDS6986ASCT

典型关闭延迟时间

24 ns

功率-最大值

900mW

包装

剪切带 (CT)

单位重量

187 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

20 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

25 S, 15 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

6.5 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.5A,7.9A

系列

FDS6986

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

FDS6986AS_NL

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