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型号： IRF7509TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRF7509TRPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7509TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7509TRPBF价格参考。International RectifierIRF7509TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.7A, 2A 1.25W Surface Mount Micro8™。您可以下载IRF7509TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7509TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 IRF7509TRPBF 是一款P沟道MOSFET阵列，采用SO-8封装，具有低导通电阻和高开关效率，适用于多种电源管理与功率控制场景。该器件常用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等电路中。由于其双P沟道设计，特别适合在半桥或全桥拓扑结构中作为高端开关使用，广泛应用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）的电源管理系统中，以提高能效并降低功耗。此外，IRF7509TRPBF也适用于电池供电系统、USB电源开关及热插拔控制电路，具备良好的热稳定性和可靠性，能在较宽温度范围内稳定工作。其符合RoHS标准且无铅，满足环保要求，是中小功率应用中的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N/P-CH 30V MICRO8MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 2.4A Micro 8
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	N 和 P 沟道
Id-ContinuousDrainCurrent	2.7 A
Id-连续漏极电流	2.7 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7509TRPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF7509TRPBF
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	1.25 W
Pd-功率耗散	1.25 W
Qg-GateCharge	7.8 nC, 7.5 nC
Qg-栅极电荷	7.8 nC, 7.5 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	200 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	200 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	10 ns, 12 ns
下降时间	5.3 ns, 9.3 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	210pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	12nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	110 毫欧 @ 1.7A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	Micro8™
其它名称	IRF7509TRPBFDKR
典型关闭延迟时间	12 ns, 19 ns
功率-最大值	1.25W
功率耗散	1.25 W
包装	Digi-Reel®
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	200 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
封装/箱体	Micro-8
工厂包装数量	4000
晶体管极性	N and P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	7.8 nC, 7.5 nC
标准包装	1
正向跨导-最小值	1.9 S, 0.92 S
汲极/源极击穿电压	30 V
漏极连续电流	2.7 A
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	2.7A，2A
通道模式	Enhancement
配置	Dual
闸/源击穿电压	+/- 20 V