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产品简介:
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NTLUD3A260PZTAG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理: NTLUD3A260PZTAG 适用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、电压调节模块(VRM)和开关电源(SMPS)。其高效的导通特性和低导通电阻 (Rds(on)) 可以减少功率损耗,提高系统的整体效率。 2. 电机驱动: 在电机控制领域,该 MOSFET 阵列可以用于无刷直流电机(BLDC)驱动器或步进电机控制器中。它能够快速切换并提供稳定的电流输出,从而实现精确的电机速度和位置控制。 3. 负载开关: 作为负载开关使用时,NTLUD3A260PZTAG 可以在消费电子设备(如智能手机、平板电脑等)中实现高效能的电路保护和动态电源分配功能。 4. 信号切换与路由: 在通信系统或数据处理设备中,这款器件可用于信号切换和路由,确保高速数字信号的可靠传输,同时保持低噪声干扰。 5. 电池管理系统 (BMS): 在电动汽车 (EV) 或便携式电子产品的电池管理系统中,该 MOSFET 阵列可用于电池充放电控制、过流保护以及短路保护等功能,保障电池的安全运行。 6. 工业自动化: 在工业环境中,NTLUD3A260PZTAG 可应用于可编程逻辑控制器 (PLC)、传感器接口及执行器驱动等领域,支持高可靠性与高性能需求的任务。 总之,凭借其卓越的电气性能和紧凑的设计,NTLUD3A260PZTAG 成为众多需要高效功率转换和控制应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | POWER MOSFET 20V 2A 200 M UDFN6IGBT 晶体管 POWER MOSFET 20V 2A 200 M |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NTLUD3A260PZTAG- |
数据手册 | |
产品型号 | NTLUD3A260PZTAG |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 300pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.2nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 2A,4.5V |
产品种类 | IGBT 晶体管 |
供应商器件封装 | 6-UDFN(1.6x1.6) |
功率-最大值 | 800mW |
功率耗散 | 0.8 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | UDFN-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.7A |
系列 | NTLUD3A260P |
配置 | Dual |