Datasheet下载- 型号： FM25V10-GTR
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FM25V10-GTR由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FM25V10-GTR价格参考。Cypress SemiconductorFM25V10-GTR封装/规格：存储器， FRAM（铁电体 RAM） 存储器 IC 1Mb （128K x 8） SPI 40MHz 8-SOIC。您可以下载FM25V10-GTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FM25V10-GTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FM25V10-GTR 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的1MB串行F-RAM（铁电随机存取存储器）芯片，采用SPI接口，具有非易失性、高速读写（高达40 MHz）、无限次擦写（10¹⁴次）、超低写入功耗和快速写入（无延时，无需等待时间）等核心优势。 其典型应用场景包括： - 工业自动化设备：用于PLC、传感器节点、HMI中实时保存运行参数、校准数据、事件日志等，断电瞬间即完成存储，避免数据丢失； - 智能电表与能源管理系统：高频记录用电数据、需频繁写入且要求10年以上数据保持，F-RAM的高耐久性远优于EEPROM/Flash； - 医疗电子设备：如便携式监护仪、输液泵，用于安全存储患者设置、报警历史、操作日志，满足高可靠性与低功耗要求； - 汽车电子（车载信息娱乐及车身控制模块）：在宽温范围（–40°C 至 +85°C）下可靠工作，用于存储用户偏好、故障码（DTC）、配置参数等； - 物联网终端与边缘设备：作为“掉电无忧”的缓存/日志存储，替代外部EEPROM或Flash，简化设计并提升系统响应速度。 该器件不适用于大容量连续存储（如文件系统），而是面向中小数据量、高写入频次、强可靠性需求的关键参数存储场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC FRAM 1MBIT 40MHZ 8SOIC |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=47763 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FM25V10-GTR |
| PCN设计/规格 | http://www.cypress.com/?docID=45719http://www.cypress.com/?docID=47856 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 其它名称 | FM25V10-GTRRA |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | FRAM（Ferroelectric RAM） |
| 存储容量 | 1M （128K x 8） |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | SPI 串行 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 40MHz |
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