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IRF7807TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7807TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7807TRPBF价格参考¥3.02-¥3.91。International RectifierIRF7807TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7807TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7807TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7807TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理: - IRF7807TRPBF常用于开关电源、DC-DC转换器和AC-DC适配器等电源管理系统中,作为功率开关器件。它的低导通电阻(Rds(on))特性有助于提高效率,减少能量损耗。 2. 电机驱动: - 在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,该MOSFET可用于驱动直流电机或步进电机。它能够快速响应控制信号,实现高效、稳定的电机控制。 3. 电池保护电路: - 用于便携式电子设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电池保护电路,防止过充、过放及短路等情况发生,确保电池安全。 4. 负载开关: - 在消费电子产品和通信设备中,作为负载开关使用,可以实现对不同负载的通断控制,起到节能和保护作用。 5. 逆变器与变频器: - 在太阳能逆变器、UPS不间断电源系统以及家电变频控制器中,IRF7807TRPBF可参与高频开关操作,调节输出电压和频率,以适应不同的负载需求。 6. 汽车电子: - 在汽车领域,该MOSFET适用于车身控制系统、车灯调节、雨刷控制等应用,提供可靠稳定的电流控制能力。 总之,IRF7807TRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,在众多需要高效功率转换和控制的应用场合中发挥着重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOICMOSFET MOSFT 30V 8.3A 25mOhm 12nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8.3 A |
Id-连续漏极电流 | 8.3 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7807TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7807TRPBF |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
Qg-GateCharge | 12 nC |
Qg-栅极电荷 | 12 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 毫欧 @ 7A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | IRF7807PBFDKR |
功率-最大值 | 2.5W |
功率耗散 | 2.5 W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 25 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 12 nC |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 8.3 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.3A (Ta) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7807.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7807.spi |
闸/源击穿电压 | 12 V |