ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > NTMFS4835NT1G
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
NTMFS4835NT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS4835NT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS4835NT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS4835NT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),130A(Tc) 890mW(Ta),62.5W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)。您可以下载NTMFS4835NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMFS4835NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS4835NT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括以下方面: 1. 电源管理: NTMFS4835NT1G 具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度,非常适合用于 DC-DC 转换器、降压/升压转换器、开关电源(SMPS)以及负载开关等应用中。它能够高效地控制电流流动,减少功率损耗。 2. 电机驱动: 该器件适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。通过 PWM(脉宽调制)信号控制 MOSFET 的开关状态,可以实现对电机速度和方向的精确调节。 3. 电池管理系统 (BMS): 在锂电池保护板或其他电池管理系统中,NTMFS4835NT1G 可用作充放电路径上的电子开关,确保过流、短路或过温情况下的安全切断。 4. 负载切换与保护: 它可以用作负载开关,在系统启动或关闭时快速接通或断开负载,同时提供过流保护功能,防止下游电路损坏。 5. 消费电子设备: 此类 MOSFET 广泛应用于手机充电器、笔记本适配器、平板电脑、智能家居设备以及其他便携式电子产品中,以提高效率并减小整体尺寸。 6. 通信基础设施: 在基站、路由器或交换机等通信设备中,NTMFS4835NT1G 能够支持高效的电源分配和管理,满足高性能需求。 7. 工业自动化: 包括传感器接口、继电器替代方案以及工业控制器中的信号隔离与功率传输等场合。 总结来说,NTMFS4835NT1G 凭借其优异的电气性能和可靠性,成为众多需要高效功率转换和控制的应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A SO-8FLMOSFET NFET SO8FL 30V 104A 3.5mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS4835NT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMFS4835NT1G |
| Pd-PowerDissipation | 62.5 W |
| Pd-功率耗散 | 62.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 23 ns, 31 ns |
| 下降时间 | 10 ns, 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3100pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 11.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.5 毫欧 @ 30A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 5-DFN, 8-SO 扁引线 (5x6) |
| 其它名称 | NTMFS4835NT1GOSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 30 ns, 22 ns |
| 功率-最大值 | 890mW |
| 功率耗散 | 62.5 W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 3.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN, 5 引线 |
| 封装/箱体 | SO-8FL |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 21 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 20 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Ta), 130A (Tc) |
| 系列 | NTMFS4835N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |