Datasheet下载- 型号： SIS406DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS406DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS406DN-T1-GE3价格参考。VishaySIS406DN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIS406DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIS406DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIS406DN-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于各类电子设备中的电源管理和负载开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备的电池供电系统中，作为高效能的功率开关使用。 2. 负载开关：在需要控制高边或低边负载的应用中，如DC/DC转换器、电机驱动和LED照明控制中，该MOSFET可实现快速开关操作，提高系统效率。 3. 保护电路：可用于过流保护、热插拔电路及反向电流阻断等场景，提升系统的稳定性和可靠性。 4. 工业控制：在自动化控制系统中作为固态继电器替代方案，用于控制小型电机、电磁阀、传感器等负载。 5. 消费类电子产品：广泛应用于家电、充电器、电源适配器等产品中，因其导通电阻低、封装小巧，适合高密度PCB布局。 SIS406DN采用TSSOP封装，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和良好的热性能，适合高频开关应用，是一款性价比高且适用范围广的功率MOSFET器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8 PPAKMOSFET 30V 14A 3.7W 11mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS406DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIS406DN-T1-GE3SIS406DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SIS406DN-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
| 系列 | SISxxxDN |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIS406DN-GE3 |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
