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FDD6N20TM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6N20TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6N20TM价格参考¥1.80-¥1.85。Fairchild SemiconductorFDD6N20TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 4.5A(Tc) 40W(Tc) D-Pak。您可以下载FDD6N20TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD6N20TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD6N20TM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。其应用场景广泛,主要适用于需要高效开关和低功耗的电力电子系统。以下是该型号的主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) FDD6N20TM 适用于各种开关电源设计,例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。其高电压耐受能力(最高 200V)和低导通电阻特性使其成为开关电源中主开关的理想选择。 2. 电机驱动 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,尤其是在需要高效率和快速开关的应用场景下,如家用电器、电动工具或工业自动化设备。 3. 逆变器 在光伏逆变器或 UPS 系统中,FDD6N20TM 可用作功率级开关,实现高效的能量转换和稳定的输出控制。 4. 负载开关 其低导通电阻和快速开关速度使其非常适合用于负载开关应用,能够有效减少功率损耗并提高系统的整体效率。 5. 电池管理 在电池管理系统 (BMS) 中,FDD6N20TM 可用于充放电保护电路,确保电池的安全运行并延长使用寿命。 6. 汽车电子 由于其高可靠性和耐高压特性,FDD6N20TM 还可应用于汽车电子领域,例如车载充电器、LED 驱动器或车身控制系统。 7. 消费电子产品 在笔记本电脑适配器、平板电脑充电器或其他便携式设备中,该 MOSFET 可提供高效且紧凑的解决方案。 总结来说,FDD6N20TM 凭借其优异的电气性能和可靠性,适合应用于各种需要高效功率转换和开关控制的场景,尤其在高电压、中小功率的应用领域表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAKMOSFET 200V N Chanel MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 4.5 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD6N20TMUniFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | FDD6N20TM |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 40 W |
Pd-功率耗散 | 40 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 800 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 5.6 ns |
下降时间 | 12.8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.1nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 800 毫欧 @ 2.3A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | FDD6N20TM-ND |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
功率-最大值 | 40W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 800 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
汲极/源极击穿电压 | 200 V |
漏极连续电流 | 4.5 A |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A (Tc) |
系列 | FDD6N20 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |