ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDB44N25TM
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Datasheet下载- 型号： FDB44N25TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB44N25TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB44N25TM价格参考。Fairchild SemiconductorFDB44N25TM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 250V 44A（Tc） 307W（Tc） D²PAK。您可以下载FDB44N25TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB44N25TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB44N25TM是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于单MOSFET器件。该器件具有高耐压、低导通电阻和优良的开关性能，广泛应用于需要高效能功率转换的场景。 典型应用场景包括： 1. 电源系统：常用于开关电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器中，适用于高效率、高频率的电源设计，如服务器电源、通信电源等。 2. 电机驱动：在工业控制、家用电器（如空调、洗衣机）的电机驱动电路中，作为功率开关元件，实现对电机的精确控制。 3. 照明应用：用于LED驱动电源，支持恒流输出与高能效要求。 4. 逆变器系统：在太阳能逆变器或UPS（不间断电源）中，作为主开关器件参与直流到交流的转换过程。 5. 汽车电子：适用于车载电源管理、辅助电机控制等非动力系统中的功率控制需求。 FDB44N25TM具备250V的漏源击穿电压和较高的连续漏极电流能力（约44A），同时拥有较低的栅极电荷和导通电阻（RDS(on)），有助于减少开关损耗和导通损耗，提升整体系统效率。其TO-220F封装便于散热，适合中高功率应用环境。 综上，FDB44N25TM是一款适用于工业、消费类及部分汽车电子领域的高性能MOSFET，特别适合对能效和可靠性要求较高的功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 44A D2PAKMOSFET 250V N-Ch MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 44 A |
| Id-连续漏极电流 | 44 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB44N25TMUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB44N25TM |
| PCN封装 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 307 W |
| Pd-功率耗散 | 307 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 69 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 69 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 400 ns |
| 下降时间 | 115 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2870pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 61nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 69 毫欧 @ 22A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB44N25TMCT |
| 典型关闭延迟时间 | 85 ns |
| 功率-最大值 | 307W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 32 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 44A （Tc） |
| 系列 | FDB44N25 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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