Datasheet下载- 型号： IRFR1N60ATRRPBF
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR1N60ATRRPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR1N60ATRRPBF价格参考。VishayIRFR1N60ATRRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR1N60ATRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR1N60ATRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFR1N60ATRRPBF 是 Vishay Siliconix（现为 Vishay Microelectronics）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。其主要参数包括600V的漏源电压（Vds）、1.2A的连续漏极电流（Id），以及适用于高电压、中等功率开关应用的特性。该器件广泛应用于以下场景： 1. 电源转换设备：如AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中，用于高频开关操作，实现高效的能量转换。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为功率开关元件，用于电动工具、风扇、泵类设备的控制。 3. 照明系统：包括LED照明驱动器和电子镇流器，用于调光和电源调节。 4. 家电控制：如洗衣机、空调等家用电器中的功率控制模块，实现对压缩机、风扇等部件的开关控制。 5. 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）和工业继电器替代方案中，用于高电压负载的开关控制。 该MOSFET采用TO-220封装，具有良好的热稳定性和耐用性，适合中高功率应用。同时，其表面贴装版本（如D²PAK）也便于自动化生产与散热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR1N60ATRRPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 229pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 欧姆 @ 840mA，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 36W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.4A （Tc） |
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