Datasheet下载- 型号： IXFH6N100Q
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH6N100Q由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH6N100Q价格参考。IXYSIXFH6N100Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFH6N100Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFH6N100Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH6N100Q是一款单N沟道MOSFET晶体管，主要应用于需要高效能功率转换与控制的电力电子设备中。该器件具有高耐压（1000V）、低导通电阻及优异的热稳定性，适合用于高功率、高频率的开关场合。 典型应用场景包括： 1. 电源供应器：广泛用于开关电源（SMPS）中，作为主开关器件，实现高效的能量转换。 2. 逆变器系统：适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等系统中，用于直流到交流的电能转换。 3. 电机驱动：用于工业自动化设备中的电机控制模块，提供快速响应与高效率的驱动性能。 4. 充电设备：在电动车充电器、电池充电系统中，作为功率开关元件，提升系统效率与可靠性。 5. 照明系统：用于高强度气体放电灯（HID）或LED大功率照明的驱动电路中。 该MOSFET支持高频率工作，适合用于硬开关与谐振转换器拓扑结构，具备良好的抗雪崩能力与热性能，适合工业级应用环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 6A TO-247AD |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFH6N100Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 2.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.9 欧姆 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247AD （IXFH） |
| 功率-最大值 | 180W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
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