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IRF7413GTRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7413GTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7413GTRPBF价格参考。International RectifierIRF7413GTRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7413GTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7413GTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号 IRF7413GTRPBF 是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应晶体管(FET)类别。该器件广泛应用于需要高效、高速开关性能的电子系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源模块。 2. 电机控制:用于无刷直流电机(BLDC)驱动器和电动工具中,提供快速开关响应与低导通电阻,提升能效。 3. 电池管理系统(BMS):在电动车、储能系统和便携式设备中作为高侧或低侧开关,实现电池充放电保护与管理。 4. 工业自动化:用于PLC、继电器替代方案及工业控制电路,具备高可靠性和耐久性。 5. 汽车电子:支持车载充电器、车身控制模块等应用,符合AEC-Q101汽车级可靠性标准。 综上,IRF7413GTRPBF凭借其高性能和稳定性,广泛服务于工业、汽车及消费类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOICMOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 44nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7413GTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7413GTRPBF |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 79 nC |
| Qg-栅极电荷 | 79 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 46 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 79nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11 毫欧 @ 7.3A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7413GTRPBFCT |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 10 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Ta) |
| 配置 | Single |