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Datasheet下载- 型号： SI7898DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI7898DP-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7898DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7898DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7898DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 150V 3A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7898DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7898DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7898DP-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，其主要应用场景包括以下方面： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：该 MOSFET 可用于降压或升压 DC-DC 转换器中的开关元件，实现高效的电压调节。 - 负载开关：适用于需要快速开启和关闭负载的场景，例如 USB 充电端口、电池供电设备等。 - 线性稳压器：作为旁路开关或电流限制元件，确保电路稳定运行。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：可用于低功率电机的启停、调速和方向控制。 - H 桥电路：在双向电机控制中作为开关元件，支持正向和反向旋转。 3. 电池保护与管理 - 电池组保护：防止过流、短路或过放电等问题，确保电池安全。 - 充电电路：用作充电路径的开关，控制充电电流。 4. 消费类电子产品 - 便携式设备：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等，用于电源管理和外围设备接口。 - 音频设备：在功放电路中作为开关或保护元件，避免过载损坏。 5. 通信设备 - 信号切换：在多路复用器或信号选择器中，实现高速信号切换。 - 网络设备：如路由器、交换机等，用于电源分配和保护。 6. 工业应用 - 传感器接口：为传感器提供稳定的电源供应或信号隔离。 - 继电器替代：利用其快速开关特性和低导通电阻（Rds(on)）特性，取代传统机械继电器。 7. 汽车电子 - 车身控制模块：用于车窗升降、座椅调节等功能的电源控制。 - LED 照明驱动：在汽车内外照明系统中，作为电流调节和开关元件。 SI7898DP-T1-GE3 的特点（如低 Rds(on)、高开关速度、低栅极电荷）使其非常适合需要高效能、低损耗的应用场合。同时，其紧凑的封装形式（DFN8x8 封装）也便于在空间受限的设计中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8MOSFET 150V 4.8A 5.0W 85mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7898DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7898DP-T1-GE3SI7898DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.9 W |
| Pd-功率耗散 | 1.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 85 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 85 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7898DP-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7898DP-GE3 |
