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Datasheet下载- 型号： STP34NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP34NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP34NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTP34NM60N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 29A（Tc） 250W（Tc） TO-220-3。您可以下载STP34NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP34NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP34NM60N 是由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该型号属于功率 MOSFET，广泛应用于需要高效、可靠开关性能的电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 STP34NM60N 常用于各种电源管理应用中，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC）等。它能够高效地控制电流的通断，减少能量损耗，提高电源转换效率。由于其低导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中可以显著降低发热，延长设备寿命。 2. 电机驱动 在电机驱动领域，STP34NM60N 可以用于控制电机的启动、停止和调速。例如，在电动工具、家用电器（如吸尘器、洗衣机）以及工业自动化设备中，MOSFET 能够快速响应控制信号，实现精确的速度调节和扭矩控制。 3. 逆变器 在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，STP34NM60N 可以用于将直流电转换为交流电。它能够承受较高的电压（600V 耐压），并且具有良好的开关特性，适用于高频逆变器设计，确保输出波形的稳定性和可靠性。 4. 电池管理系统 该 MOSFET 还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制。通过精确控制电池的充放电路径，防止过充、过放等问题，保护电池安全。此外，它还可以用于电池均衡电路中，确保各个电池单元的电压一致。 5. 负载切换 在电信设备、服务器等需要频繁切换负载的应用中，STP34NM60N 可以作为负载开关使用。它能够快速响应负载变化，确保系统的稳定运行，并且在关断状态下几乎不消耗电流，降低待机功耗。 6. 汽车电子 在汽车电子系统中，STP34NM60N 可用于车身控制系统、LED 照明驱动、电动助力转向（EPS）等场景。它能够在宽温度范围内稳定工作，适应汽车环境的严苛要求。 总之，STP34NM60N 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，特别是在需要高效开关和功率管理的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 29A TO-220MOSFET N-Ch 600V 0.092 Ohm MDmesh II 29A Switch |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 29 A |
| Id-连续漏极电流 | 29 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP34NM60NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP34NM60N |
| Pd-PowerDissipation | 210 W |
| Pd-功率耗散 | 210 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 92 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 92 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2722pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 105 毫欧 @ 14.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | 497-10884-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF250946?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 210W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 92 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 成形引线 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 29 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 29A （Tc） |
| 系列 | STP34NM60N |
| 配置 | Single |
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