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Datasheet下载- 型号： STF24NM65N
- 制造商： STMicroelectronics
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STF24NM65N产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STF24NM65N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF24NM65N价格参考。STMicroelectronicsSTF24NM65N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 650V 19A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP。您可以下载STF24NM65N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF24NM65N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的型号STF24NM65N是一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：该器件适用于开关电源中的功率转换和控制电路，能够高效地进行高频开关操作，降低能量损耗。 2. 电机驱动：可用于各种电机驱动应用中，如直流无刷电机（BLDC）、步进电机等。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以减少发热并提高效率。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中作为功率开关使用，帮助实现高效的直流到交流转换。 4. 负载切换：在需要快速、可靠地接通或断开负载的应用中，例如汽车电子系统中的负载切换，确保电流平稳过渡而不损坏其他组件。 5. 不间断电源（UPS）：为保证电力供应稳定，在UPS系统内充当关键的功率处理元件之一。 6. 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器（PLC）、机器人技术等领域，用作信号放大或者功率输出级。 7. 消费类电子产品保护电路：比如笔记本电脑适配器、手机充电器等产品中的过流保护、短路保护等功能模块。 8. 电动汽车与混合动力汽车：参与车载充电器、电池管理系统（BMS）以及牵引逆变器等核心部分的设计制造。 总之，STF24NM65N凭借其出色的电气特性（如耐压高达650V、最大连续漏极电流达24A等），非常适合应用于高电压、大电流环境下的各类功率变换及控制场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 19A TO-220FP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STF24NM65N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2500pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 9.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-11394-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF209370?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Tc） |
