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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STE70NM50由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STE70NM50价格参考。STMicroelectronicsSTE70NM50封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STE70NM50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STE70NM50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STE70NM50 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。其应用场景主要包括以下几个方面: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):STE70NM50 具有低导通电阻(Rds(on))和高击穿电压(Vds = 500V),适合用于开关电源中的功率开关,能够高效地控制电流的开断。 - 直流-直流转换器:在降压或升压电路中,该器件可用作主开关,提供高效的能量转换。 - 电池充电管理:适用于电池管理系统中的充放电控制,确保电流和电压的安全范围。 2. 电机驱动 - 步进电机和直流电机控制:由于其高耐压特性和良好的开关性能,STE70NM50 可用于驱动中小型电机,特别是在需要高压输入的应用中。 - 电磁阀驱动:可用于工业自动化设备中的电磁阀控制,实现快速、稳定的开关操作。 3. 逆变器和变频器 - 太阳能逆变器:在可再生能源领域,该 MOSFET 可用于将直流电转换为交流电的逆变器电路中。 - 变频器应用:支持家用电器(如空调、冰箱等)中的变频控制,提高能效并降低能耗。 4. 保护电路 - 过流保护:利用其低导通电阻特性,STE70NM50 可设计成过流保护电路,防止负载电流过大导致系统损坏。 - 短路保护:在某些情况下,可通过快速检测和响应来避免短路对电路的影响。 5. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等系统的电机驱动。 - 启动和停止系统:在现代汽车中,MOSFET 常用于优化发动机启动和停止功能,以减少燃油消耗。 6. 其他应用 - 照明系统:如 LED 驱动器中的功率开关,确保稳定输出的同时提高效率。 - 家电控制:用于洗衣机、微波炉等家电中的功率控制模块,提供可靠的开关性能。 综上所述,STE70NM50 凭借其高耐压、低导通电阻以及出色的开关性能,广泛应用于各种电力电子设备中,尤其是在需要高压、高效能的场景下表现优异。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 500V 70A ISOTOPMOSFET N-Ch 500 Volt 70 Amp Power MDmesh |
产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 70 A |
Id-连续漏极电流 | 70 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STE70NM50MDmesh™ |
数据手册 | |
产品型号 | STE70NM50 |
Pd-PowerDissipation | 600 W |
Pd-功率耗散 | 600 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 58 ns |
下降时间 | 46 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 266nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 50 毫欧 @ 30A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | ISOTOP® |
其它名称 | 497-3172-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF64602?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 600W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 28 g |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 底座安装 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | ISOTOP |
封装/箱体 | ISOTOP-4 |
工厂包装数量 | 10 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 10 |
正向跨导-最小值 | 35 S |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 70A |
系列 | STE70NM50 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Source |