Datasheet下载- 型号： SI7370DP-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7370DP-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7370DP-T1-E3价格参考。VishaySI7370DP-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7370DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7370DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7370DP-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm × 1.2mm小型SuperSOT™-6封装，具有低导通电阻和高功率密度的特点。该器件适用于空间受限且对效率要求较高的便携式电子设备。 主要应用场景包括：智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关，用于控制电池供电模块的开启与关闭，有效降低功耗；在DC-DC转换电路中作为同步整流或反向电流阻断元件，提升电源转换效率；还可用于热插拔电路保护和电机驱动中的低边开关应用。其优异的热性能和小尺寸设计使其非常适合高密度PCB布局。 此外，SI7370DP-T1-E3具备良好的栅极耐压能力（最高−20V），增强了系统可靠性，适用于1.8V至12V的宽电压范围操作，广泛应用于消费类电子、移动外设（如USB接口电源控制）及工业便携设备中。由于无需使用额外驱动电路即可由逻辑信号直接控制，简化了设计复杂度，提高了整体系统稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8MOSFET 60V 15.8A 0.011Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71874 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7370DP-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7370DP-T1-E3SI7370DP-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.9 W |
| Pd-功率耗散 | 1.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7370DP-T1-E3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET/PowerPAK |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 11 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 9.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.6A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7370DP-E3 |
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