Datasheet下载- 型号： ZXMN6A25GTA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMN6A25GTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMN6A25GTA价格参考。Diodes Inc.ZXMN6A25GTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMN6A25GTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMN6A25GTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZXMN6A25GTA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号因其优异的电气特性和紧凑封装，适用于多种电子应用领域。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 ZXMN6A25GTA 的低导通电阻（Rds(on)）特性使其非常适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）。它能够高效地控制电流流动，降低功耗并提高系统效率。 2. 负载开关 在便携式设备和消费电子产品中，该 MOSFET 可用作负载开关，实现对不同电路模块的动态供电管理。例如，在智能手机、平板电脑或笔记本电脑中，用于管理电池与各个功能模块之间的电力分配。 3. 电机驱动 该器件适用于小型直流电机驱动，如风扇、泵或玩具电机。通过 PWM（脉宽调制）技术，可以精确控制电机的速度和方向。 4. 电池保护与管理 ZXMN6A25GTA 可用于锂电池或镍氢电池的充放电保护电路中，提供过流、短路和过温保护功能，确保电池安全运行。 5. 信号切换 在音频设备、通信设备或其他需要高速信号切换的应用中，该 MOSFET 可作为信号路径的开关元件，实现低失真和高可靠性的信号传输。 6. 汽车电子 虽然 ZXMN6A25GTA 主要针对消费级市场，但在某些非严苛环境下的汽车应用中（如车内照明、座椅调节或娱乐系统），也可作为候选方案。 7. 工业控制 在工业自动化领域，该器件可用于继电器驱动、传感器接口以及简单逻辑控制电路中，满足低成本且高效的解决方案需求。 总结来说，ZXMN6A25GTA 凭借其高性能参数和小尺寸封装，广泛应用于消费电子、通信设备、计算机外设、工业控制以及部分汽车电子领域。具体选择时需结合实际电路设计要求及工作条件进行评估。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V SOT223MOSFET N-Chan 60V MOSFET (UMOS) |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.7 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMN6A25GTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMN6A25GTA |
| Pd-PowerDissipation | 3.9 W |
| Pd-功率耗散 | 3.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 10.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1063pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 3.6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZXMN6A25GTATR |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 26.2 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 50 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 6.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.8A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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