Datasheet下载- 型号： RTR025P02TL
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RTR025P02TL由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTR025P02TL价格参考。ROHM SemiconductorRTR025P02TL封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RTR025P02TL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RTR025P02TL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RTR025P02TL 是 Rohm Semiconductor 生产的一款 N 沟道 MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。其应用场景广泛，主要应用于需要高效开关和低导通电阻的电路中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：用于降压或升压转换器中的开关元件，能够实现高效的电压转换。 - 负载开关：作为负载开关控制电路的通断，确保设备在待机或关机时功耗最小。 - LDO 稳压器：用作 LDO 的外部开关元件，提高效率并降低功耗。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：用于驱动低功率直流电机，实现启停、调速等功能。 - H 桥电路：在 H 桥电路中作为开关元件，用于双向电机控制。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护电路：用于锂离子电池或其他可充电电池的过流、短路保护。 - 充放电控制：控制电池的充放电路径，确保电池安全运行。 4. 信号切换 - 信号路由：在多路复用器或多路选择器中，用于切换不同的信号路径。 - 音频信号切换：在音频设备中切换输入或输出信号。 5. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：用于电源管理模块、摄像头驱动等。 - 便携式设备：如蓝牙耳机、智能手环等，用于节能设计和小电流控制。 6. 工业应用 - 传感器接口：用于控制传感器的供电或信号传输。 - 继电器替代：在需要快速开关和长寿命的场景中，替代传统机械继电器。 7. 照明系统 - LED 驱动：用于 LED 照明系统的亮度调节和开关控制。 - 背光驱动：在显示屏背光电路中作为开关元件。 RTR025P02TL 具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适合需要高效率和低损耗的应用场景。同时，其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的设计环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | +/- 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RTR025P02TL- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RTR025P02TL |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 115 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 115 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 18 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 630pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 95 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT3 |
| 其它名称 | RTR025P02TLTR |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TSMT-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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