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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR9220PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR9220PBF价格参考。VishayIRFR9220PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR9220PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR9220PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFR9220PBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),其主要应用场景包括以下领域: 1. 开关电源(SMPS):IRFR9220PBF具有低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性,适用于开关电源中的功率开关器件。它能够高效地控制电流的通断,降低能耗并提高系统效率。 2. 电机驱动:该MOSFET适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高效的电流切换功能,支持正向和反向电流控制,实现电机的启动、停止和调速。 3. 负载开关:在便携式电子设备(如笔记本电脑、平板电脑等)中,IRFR9220PBF可用作负载开关,用于动态管理电源分配,减少待机功耗。 4. 电池管理系统(BMS):在电池保护电路中,这款MOSFET可用于过流保护、短路保护以及电池充放电控制,确保电池的安全运行。 5. 逆变器与转换器:IRFR9220PBF可应用于DC-DC转换器和逆变器中,作为功率级开关元件,实现电压转换和稳定输出。 6. 通信设备:在通信基站、路由器和其他网络设备中,这款MOSFET可用于电源管理和信号调节,保证设备的稳定性和可靠性。 7. 工业自动化:在工业控制系统中,IRFR9220PBF可用于继电器替代、传感器接口和执行器驱动等场景,提供高效且可靠的电力传输。 综上所述,IRFR9220PBF凭借其出色的电气性能和耐用性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和电池管理等领域,为各种电力电子系统提供高效的开关解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAKMOSFET P-Chan 200V 3.6 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFR9220PBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91283 |
| 产品型号 | IRFR9220PBFIRFR9220PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 19 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 欧姆 @ 2.2A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 7.3 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.5 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 200 V |
| 漏极连续电流 | 3.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.6A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |