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Datasheet下载- 型号： 2SK2507(F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK2507(F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK2507(F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.2SK2507(F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK2507(F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK2507(F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为2SK2507(F)、品牌为Toshiba Semiconductor and Storage的晶体管属于场效应晶体管（FET）中的MOSFET - 单类型。该器件通常用于高频、低噪声放大应用，尤其在射频（RF）和通信设备中表现优异。 主要应用场景包括： 1. 无线通信设备：如基站、无线接入点和通信模块，用于信号放大和处理。 2. 射频放大器：适用于VHF、UHF频段的低噪声放大，提升接收信号质量。 3. 测试与测量仪器：用于高精度信号检测和分析设备中，确保信号完整性。 4. 消费类电子产品：如电视调谐器、卫星接收器等，用于高频信号处理。 5. 工业控制与传感器系统：在需要高灵敏度信号放大的场合使用。 该MOSFET具备良好的高频响应和低噪声系数，适合用于前端信号放大，尤其在需要高稳定性和高灵敏度的系统中表现出色。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2SK2507(F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 46 毫欧 @ 12A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220NIS |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25A （Ta） |
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