Datasheet下载- 型号： SISA18DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SISA18DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SISA18DN-T1-GE3价格参考。VishaySISA18DN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SISA18DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SISA18DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SISA18DN-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件常用于以下应用场景： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路，提高电源转换效率，广泛应用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统。 2. 电机控制：在直流电机驱动器和步进电机控制器中作为功率开关使用，实现高效、快速的电流控制。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动工具、电动车及储能系统的电池充放电控制，保护电池免受过流或短路损害。 4. 工业自动化与电机驱动：适用于工业控制系统中的高频开关应用，如PLC模块、传感器供电系统等。 5. 汽车电子：支持车载充电系统、车身控制模块（如车窗、座椅调节）、LED照明驱动等场景，满足汽车环境对可靠性和稳定性的要求。 SISA18DN-T1-GE3 凭借其优异的导通特性和封装散热性能，在需要高效能与小型化设计的电子系统中具备广泛应用价值。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SISA18DN-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SISA18DN-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 19.8W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38.3A (Tc) |
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