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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH120N25T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH120N25T价格参考。IXYSIXFH120N25T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFH120N25T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH120N25T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH120N25T是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率场效应晶体管中的单管类型。该器件具有较高的电流承载能力和良好的导通特性,适用于需要高效、高可靠性的电力电子系统中。 应用场景主要包括: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,用于提高能量转换效率和减小体积。 2. 电机驱动:适用于工业自动化中的电机控制电路,如伺服驱动器、变频器等,提供快速开关响应和低损耗。 3. 逆变器系统:用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等系统中,将直流电转换为交流电的过程中起关键作用。 4. 电池管理系统:在电动车、储能系统中作为充放电控制开关,具备高耐压和大电流能力。 5. 工业控制系统:如PLC、工业电源模块中,作为高频开关元件使用。 该器件具备良好的热稳定性和抗过载能力,适合在高温或恶劣环境下工作,广泛应用于工业、通信、新能源等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 250V 120A TO-247MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFETs |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
Id-连续漏极电流 | 120 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH120N25TTrench™ HiPerFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFH120N25T |
Pd-PowerDissipation | 890 W |
Pd-功率耗散 | 890 W |
Qg-GateCharge | 180 nC |
Qg-栅极电荷 | 180 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 16 ns |
下降时间 | 19 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 4mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11300pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 23 毫欧 @ 60A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247AD (IXFH) |
典型关闭延迟时间 | 46 ns |
功率-最大值 | 890W |
包装 | 管件 |
商标 | IXYS |
商标名 | HiPerFET |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 250V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
系列 | IXFH120N25T |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |