Datasheet下载- 型号： 2SK3746-1E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SK3746-1E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SK3746-1E价格参考￥23.57-￥26.29。ON Semiconductor2SK3746-1E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载2SK3746-1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SK3746-1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SK3746-1E是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于中功率开关和放大电路。其应用场景主要包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中的低边开关，具备良好的导通特性和开关速度，有助于提高电源转换效率。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，用于控制电机的启停与转速，适用于电动工具、风扇、泵类设备等。 3. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，如LED照明、加热元件或继电器驱动，具备较高的可靠性和较长的使用寿命。 4. 音频放大器：在音频功率放大电路中作为输出级器件，提供较高的输出功率和较低的失真。 5. 工业自动化：在PLC、传感器模块、工业控制设备中用于信号切换和功率控制。 该器件具有低导通电阻、高耐压（60V）、适合中等功率应用，且封装小巧，便于散热设计，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1500V 2AMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 2SK3746-1E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 2SK3746-1E |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.5 kV |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 380pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 欧姆 @ 1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 13 Ohms |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 汲极/源极击穿电压 | 1.5 kV |
| 漏极连续电流 | 2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 1500V（1.5kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
| 系列 | 2SK3746 |
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