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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MTM761100LBF由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTM761100LBF价格参考。Panasonic CorporationMTM761100LBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTM761100LBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTM761100LBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTM761100LBF是松下电子元件(Panasonic Electronic Components)生产的一款N沟道MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),主要用于电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻、高效率和小型化封装的特点,适用于对空间和能效要求较高的电子产品。 其典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电源开关与负载管理;电池供电系统中的充放电控制;DC-DC转换器中用于提高转换效率;以及各类消费类电子产品中的电机驱动或LED驱动电路。由于其良好的热稳定性和快速开关性能,也适合用于高频开关电源和小型电源适配器中。 此外,MTM761100LBF采用紧凑型表面贴装封装,便于自动化生产和高密度PCB布局,广泛应用于需要节能、小型化和高可靠性的现代电子设备中。在工业控制、家用电器和通信模块中也有一定应用。总体而言,该MOSFET适合中低功率、高效率的开关场景,是现代电子系统中理想的功率控制元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6MOSFET PCH MOS FET FLT LD 2.0x2.1mm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4 A |
| 品牌 | PanasonicPanasonic Electronic Components - Semiconductor Products |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Panasonic MTM761100LBF- |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJD7007+MTM76110+8+WW |
| 产品型号 | MTM761100LBFMTM761100LBF |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 42 毫欧 @ 1A,4V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25771 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | WS迷你型6-F1-B |
| 其它名称 | MTM761100LBFDKR |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Panasonic |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
| 封装/箱体 | WSMini-6-F1-B |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A (Ta) |
| 配置 | Single |