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产品简介:
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FDP6030L 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,主要用于需要高效功率开关的应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力,适用于以下领域: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器和开关电源(SMPS),用于提高效率和减小系统尺寸。 2. 电机驱动:在直流电机或步进电机控制电路中作为功率开关,提供快速开关响应和低损耗。 3. 负载开关:用于控制高功率负载的通断,例如LED照明、加热元件或风扇。 4. 电池管理系统(BMS):在电池充放电保护电路中作为开关元件,实现高效能和高可靠性。 5. 工业自动化设备:用于PLC、工业电源模块和自动化控制系统中的功率控制部分。 其封装形式为TO-252(DPAK),便于散热和安装,适合中高功率应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 48A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FDP6030L |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PowerTrench® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1250pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13 毫欧 @ 26A,10V |
供应商器件封装 | TO-220 |
功率-最大值 | 52W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 48A (Ta) |